高純鎢是制造集成電路的基本材料，材料形狀可以是箔片、片材、靶材、燈絲、絕緣線(xiàn)、直棒、圓管、粉末、單晶等。廣泛用作半導體大型的柵電路電極材料、布線(xiàn)材料和屏蔽金屬材料級集成電路。純度達到99.999%和99.9999%，分別記錄為5N和6N純鎢。各種雜質(zhì)元素的含量應在（0.1～1000）×10-12之間，某些雜質(zhì)元素的含量有特殊要求，如放射性、堿金屬、重金屬、氣體元素等。

       高純鎢及其硅化物在超大規模集成電路中用作電阻層、擴散阻擋層等，在金屬氧化物半導體晶體管中用作柵極材料和連接材料。微量元素的測定是評價(jià)性能的重要標準。降低微量元素的測定限，增加微量元素的數量，提高測定的準確度和靈敏度是檢測過(guò)程的主要任務(wù)。研究方向。檢測高純金屬中痕量元素的常用方法包括光譜分析、質(zhì)譜分析和中子分析。隨著(zhù)材料純度的提高，傳統的光譜分析和中子分析所測元素的量和分析靈敏度已不能滿(mǎn)足6N鎢粉的分析要求，而質(zhì)譜法在高濃度鎢粉的痕量雜質(zhì)檢測發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用-純度鎢。越來(lái)越重要的作用。

       高純鎢的制備過(guò)程繁瑣，各種提純方法去除不同雜質(zhì)的效果差異很大；國內高純鎢精煉工藝中，仍?xún)H采用簡(jiǎn)單的真空脫氣去除間隙雜質(zhì)。純度受到某些限制。該熔煉法溫度高、無(wú)污染、提純效果好，在提純難熔金屬方面有很大優(yōu)勢；但其原料純度要求高，成本高，工藝費時(shí)。因此如何將多種工藝有機結合成功制備高純鎢成為研究熱點(diǎn)和難點(diǎn)。

       高純鎢的制備方法可分為粉末冶金、熔煉和化學(xué)氣相沉積法。

       1、粉末冶金：鎢粉成型后，可得到鎢坯或某種簡(jiǎn)單形式的鎢制品，加熱至其熔點(diǎn)下的某一溫度，通過(guò)物質(zhì)遷移完成致密化過(guò)程。

       2、熔制：指原料加熱至熔點(diǎn)以上形成液相，具體方法有真空自耗電弧熔煉法、電子束熔煉法、等離子體熔煉法等，除去雜質(zhì)后冷卻凝固致密化的過(guò)程，根據所采用的手段不同而不同。

       3、化學(xué)氣相沉積：指以化合物氣(一般為WF6)為鎢源，得到致密的坯(或產(chǎn)品)的過(guò)程，在一定溫度下被H2還原，將生成的沉積在特定的基底上，沉積完成后去除基底材料。